Вышедшие номера
Дифференциальное сопротивление туннельных контактов Au/GaAs1-xSbx в области нулевой аномалии. I. Контакты к n-GaAs1-xSbx
Полянская Т.А.1, Аллен Т.Ю.1, Нажмудинов Х.Г.1, Ястребов С.Г.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики и дифференциальное сопротивление R(V)=dV/dI туннельных контактов Au/n-GaAs1-xSbx. Барьеры Шоттки изготавливались на эпитаксиальных слоях n-GaAs1-xSbx, специально не легированных, в области составов твердого раствора 0.01<x<0.125. Показано, что зависимости R(V) в диапазонах концентрации электронов 2·1018=< n=< 7·1018 см-3 и температуры 4.2=< T=<295 K хорошо описываются теорией туннелирования, использующей самосогласованный расчет потенциала в области барьера Шоттки. Наблюдалась корневая зависимость проводимости G(V)=(dV/dI)-1 от напряжения смещения V в области нулевой аномалии в соответствии с теорией Альтшулера и Аронова для квантовых поправок к плотности состояний на уровне Ферми, связанных с особенностями электрон-электронного взаимодействия в разупорядоченных металлах.