"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ изменений интенсивности собственной люминесценции, происходящих после диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы арсенида галлия
Воробкало Ф.М.1, Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Проанализировано влияние диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs на интенсивность собственной люминесценции. Показано, что диффузия меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs может приводить как к повышению, так и понижению интенсивности собственной люминесценции. Получены аналитические соотношения, связывающие величину и знак эффекта с рекомбинационными параметрами указанных кристаллов, а также с интенсивностью возбуждения люминесценции.
  1. C.E. Third, F. Weinberg, L. Young, M. Thewalt. Appl. Phys. Lett., 58, 714 (1991)
  2. U. Jahn, H. Menniger. Phys. St. Sol. A, 128, 145 (1991)
  3. К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 24, 66 (1992)
  4. W.J. Moore, R.J. Henry, J.S. Blakemore. Phys. Rev. B, 46, 7229 (1992)
  5. Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 31, 1045 (1997)
  6. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
  7. Н.М. Литовченко, Л.Г. Шепель. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 29, 108 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.