"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подпороговые характеристики транзисторов и тиристоров с электростатическим управлением. II. Глубокий планарный затвор
Кюрегян А.С.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ). Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений для ТЭУ с произвольной конфигурацией планарного затвора, примыкающего к истоку. Показано, что подпороговые вольт-амперные характеристики ТЭУ имеют универсальный вид, который не зависит от конфигурации затвора. В качестве примера исследован вариант планарного затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям большинства реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для коэффициента блокирования и параметров вольт-амперной характеристики в зависимости от геометрических параметров ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.
  1. А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 32, 249 (1998)
  2. B.J. Baliga. Modern power devices (Singapore, 1987) p. 132
  3. А.В. Горбатюк, И.В. Грехов. ФТП, 15, 1353 (1981)
  4. М.А. Лаврентьев, Б.В. Шабат. Методы теории функций комплексного переменного (М., Наука, 1987)
  5. А.В. Горбатюк, А.С. Кюрегян. Микроэлектроника, 20, 254 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.