Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ). Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений для ТЭУ с произвольной конфигурацией планарного затвора, примыкающего к истоку. Показано, что подпороговые вольт-амперные характеристики ТЭУ имеют универсальный вид, который не зависит от конфигурации затвора. В качестве примера исследован вариант планарного затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям большинства реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для коэффициента блокирования и параметров вольт-амперной характеристики в зависимости от геометрических параметров ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.