"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термических отжигов и химических воздействий на фотолюминесценцию пористого кремния
Шелонин Е.А.1, Найденкова М.В.1, Хорт А.М.1, Яковенко А.Г.1, Гвелесиани А.А.1, Марончук И.Е.1
1Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Исследовано изменение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) и спектров поглощения в ИК области образцов пористого кремния (ПК) при термических отжигах и химических обработках. Обнаружено, что обработка ПК в HCl + Zn приводит к увеличению интенсивности ФЛ более чем в 2 раза и влияет на характер уменьшения интенсивности при отжигах. При сопоставлении наблюдавшихся изменений с ИК спектрами высказано предположение о ключевой роли связей Si--Hx в эффективной ФЛ в ПК.
  1. C. Tsai, K.-H. Li, J. Sarathy, S. Shih, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 59, 2814 (1991)
  2. S.M. Prokes. J. Appl. Phys., 73, 407 (1993)
  3. В.М. Костишко, А.М. Орлов, Т.Г. Емельянов. Письма ЖТФ, 22, 689 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.