Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Ga_xIn_1-xN/p-Si

Александров С.Е.¹, Зыков В.А.¹, Гаврикова Т.А.¹, Красовицкий Д.М.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 1 октября 1997 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработана технология формирования гетероструктур n-Ga_xIn_1-xN/p-Si, основанная на совместном пиролизе моноаммиакатов хлоридов галлия и индия, позволяющая получать гетерослои с составом, варьируемым в широких пределах (от GaN до InN). Определены состав и основные электрические и оптические характеристики нитридных пленок. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур с пленками Ga_xIn_1-xN различного состава. Показано, что анизотипный гетеропереход n-Ga_xIn_1-xN/p-Si является перспективным фоточувствительным элементом для детектирования излучения в видимой части спектрального диапазона. Максимальные значения удельной обнаружительной способности составили D^*=1.2· 10¹¹ Гц^1/2·Вт^-1см при 290 K. Построена зонная диаграмма гетероперехода.

S. Strite, M.E. Lin, H. Marko c. Thin Solid. Films, 231, 197 (1993)
S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994)
X.H. Yang, T.J. Schmidt, W. Shan, J.J. Song, B. Goldenberg. Appl. Phys. Lett., 66, 1 (1995)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)
A. Yamamoto, M. Tsujino, M. Ohkubo, A. Hashimoto. J. Cryst. Growth, 137, 415 (1994)
T. Matsuoka, T. Sasaki, A. Katsui. Optoel. Dev. Tech., 5, 53 (1990)
A. Wakahara, T. Tsuchiya. A. Yoshida. J. Cryst. Growth, 99, 385 (1990)
W.E. Hoke. P.J. Lemonias, D.G. Weir. J. Cryst. Growth, 111, 1024 (1991)
S. Strite, D. Chandrasekhar, D.J. Smith, J. Sariel, H. Chen, N. Teraguchi, H. Marko c. J. Cryst. Growth, 127, 204 (1993)
T. Maruyama, T. Morishita. J. Appl. Phys., 76, 5809 (1994)
Q. Guo, H. Ogawa, H. Yamano, A. Yoshida. Appl. Phys. Lett., 66, 715 (1995)
K. Naniwae, Sh. Itoh, H. Amano, K. Hiramatsu, I. Akasaki. J. Cryst. Growth, 199, 381 (1990)
O. Igarashi. Japan. J. Appl. Phys., Pt. 1, 31, 2665 (1992)
Y. Sato, S.Sato. J. Cryst. Growth, 144, 15 (1994)
С.Е. Александров, В.А. Крякин. А.с. СССР, N 1436762. Заявка N 4210081, 11.03.87
А.В. Раков. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур (М., 1975)
T. Nagamoto, O. Omoto. J. Phisique, IV C5, 1173 (1995)
T.L. Tansley, C.P. Foley. J. Appl. Phys., 60, 2092 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель