Вышедшие номера
Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe1-x)2
Боднарь И.В.1, Гременок В.Ф.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3
1Государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленки твердых растворов CuIn(TexSe1-x)2, где 0<x<1, обладающие халькопиритной структурой. Используя полупрозрачные слои индия, на основе полученных пленок изготовлены диоды Шоттки. Путем освещения структур через In-контакт исследована спектральная зависимость фоточувствительности, как функция соотношения между Te и Se. Анализ экспериментальных результатов показал, что область спектральной чувствительности таких тонкопленочных структур зависит от содержания теллура в слоях CuIn(TexSe1-x)2.