Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов в GaAs на спектры DLTS

Новиков В.А.¹, Пешев В.В.¹

¹Cибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия

Поступила в редакцию: 21 июня 1996 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сделана попытка связать происхождение U-полосы в спектре DLTS GaAs, облученного нейтронами импульсного реактора, с известными дефектами P2 и P3, локализованными вблизи областей разупорядочения. Полагалось, что форма и положение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены в результате влияния электрического поля областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с уровней дефектов. Выполнен расчет спектров DLTS для P2- и P3-центров, расположенных в областях с внутренними электрическими полями. Сопоставление суммарного расчетного спектра для P2- и P3-центров с U-полосой показало удовлетворительное согласие расчета с экспериментом.

G.M. Martin, E. Esteve, P. Langlade, S. Makram-Ebeid. J. Appl. Phys., 56, 2655 (1984)
D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
R. Magno, M. Spencer, J.G. Giessner, E.R. Weber. In: 13^th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Coronado, California, 1984) p. 981
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. ФТП, 27, 260 (1993)
V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (a), 105, K57 (1990)
В.А. Иванюкович, В.И. Карась, В.М. Ломако. ФТП, 24, 1427 (1990)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B: Condens. Matter., 212, 429 (1995)
Д. Ланг. В кн.: Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979) с. 187
R. Coates, E.W.J. Mitchell. Adv. Phys., 24, 593 (1975)
Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1985)
Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
J.L. Hartke. J. Appl. Phys., 39, 4871 (1968)
B.R. Gossick. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959)
D. Stievenard, J.C. Bourgoin, M. Lanoo. J. Appl. Phys., 55, 1477 (1984)
C.E. Barnes, T.E. Zipperian, L.R. Dawson. J. Electron. Mater., 14, 95 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель