Проведены исследования фотопроводимости и плотности дефектов в пленках нелегированного a-Si : H под воздействием света (W=114 мВт / см², lambda<0.9 мкм) в течение 5 ч. Показано, что sigma_ph~ t^-gamma и N_D~ t^beta, причем gamma>beta или gamma~=beta в зависимости от положения уровня Ферми до засветки, т. е. в зависимости от зарядового состояния дефектов: D^- и D⁰ или D⁺ и D⁰. Показано также, что на индуцированную светом кинетику sigma_ph влияет переход дефектов в состояние D⁰ за счет соответствующего сдвига уровня Ферми при засветке.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.