Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние метастабильных состояний на высвечивание экситонов в n-GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Исследовано затухание спонтанного излучения экситонов в n-GaAs в зависимости от температуры и интенсивности возбуждения. Впервые экспериментально обнаружено влияние метастабильного состояния, резонансного с зоной проводимости, на процесс высвечивания экситонов.
- D. Bimberg, H. Munzel, A. Steckenborn, J. Christen. Phys. Rev. B, 31, 7788 (1985)
- P.M. Mooney. J. Appl. Phys. 67, R1 (1990)
- T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wright. Phys. Rev. Lett. 60, 361 (1988)
- G. Brunhaler, K. Ploog, W. Juntsch. Phys. Rev. Lett., 63, 2276 (1989)
- А.В. Акимов, А.А. Каплянский, В.В. Криволапчук, Е.В. Москаленко. Письма ЖЭТФ, 46, 35 (1987)
- А.В. Акимов, В.В. Криволапчук, Н.К. Полетаев, В.Г. Шофман. ФТП, 27, 310 (1993)
- E.H. Bogardus, H.B. Bebb. Phys. Rev. 176, 993 (1968)
- Б.Л. Гельмонт, Н.Н. Зиновьев, Д.И. Ковалев, В.А. Харченко, И.Д. Ярошецкий, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 94, 332 (1988)
- C. Weisbuch. Sol. St. Electron. 21, 179 (1978)
- C.J. Hwang. Phys. Rev. B, 8, 646 (1973)
- А.Э. Васильев, Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП, 23 804 (1989)
- C.J. Armistead, S.P. Najda, R.A. Stradling, J.C. Maan. Sol. St. Commun., 53, 1109 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
