О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами
Кладько В.П.1, Пляцко С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Рентгеновскими методами изучено влияние дозы облучения, концентрации и типа легирующей примеси на размеры разупорядоченных областей в GaAs. Проанализирована роль примеси в формировании разупорядоченных областей и их эволюции с дозой облучения.
- Н.А. Ухин. Радиационная физика неметаллических кристаллов (Киев, Наук. думка, 1971)
- А.И. Баранов, С.С. Смирнов. ФТП, 7, 2227 (1973)
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
- М.Я. Скороход, А.Н. Гуреев, Л.И. Даценко. УФЖ, 18, 1860 (1973)
- Л.И. Даценко. УФЖ. 24, 1306 (1979)
- P.H. Dedericks. Phys. Rev., B, 1, 1306 (1970)
- I. Fujimoto. Jap. J. Appl. Phys., 25, 291 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук