Вышедшие номера
О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами
Кладько В.П.1, Пляцко С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Рентгеновскими методами изучено влияние дозы облучения, концентрации и типа легирующей примеси на размеры разупорядоченных областей в GaAs. Проанализирована роль примеси в формировании разупорядоченных областей и их эволюции с дозой облучения.