"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами
Кладько В.П.1, Пляцко С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Рентгеновскими методами изучено влияние дозы облучения, концентрации и типа легирующей примеси на размеры разупорядоченных областей в GaAs. Проанализирована роль примеси в формировании разупорядоченных областей и их эволюции с дозой облучения.
  1. Н.А. Ухин. Радиационная физика неметаллических кристаллов (Киев, Наук. думка, 1971)
  2. А.И. Баранов, С.С. Смирнов. ФТП, 7, 2227 (1973)
  3. В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
  4. М.Я. Скороход, А.Н. Гуреев, Л.И. Даценко. УФЖ, 18, 1860 (1973)
  5. Л.И. Даценко. УФЖ. 24, 1306 (1979)
  6. P.H. Dedericks. Phys. Rev., B, 1, 1306 (1970)
  7. I. Fujimoto. Jap. J. Appl. Phys., 25, 291 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.