Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Подпороговые характеристики транзисторов и тиристоров с электростатическим управлением. I. Мелкий планарный затвор

Кюрегян А.С.¹, Юрков С.Н.¹

¹Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия All-Russia Electrical Engineering Institute, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 20 февраля 1997 г.

Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках модели полностью истощенной базы построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением и мелким планарным затвором произволной ширины. Получены формулы для зависимостей подпороговых токов и коэффициента блокирования g от потенциалов электродов и параметров прибора: ширины истока и затвора, толщины и легирования базы. Показано, что достаточно сильное легирование не только влияет на параметры вольт-амперной характеристики и величину g, но и качественно изменяет вид вольт-амперной характеристики вблизи порога.

J.I. Nishizava. Power conv. and intel. motion., 13, 15 (1987)
B.J. Baliga. Modern power devices (Singapore, 1987) p. 132
А.В. Горбатюк, А.С. Кюрегян. Микроэлектроника, 20, 254 (1991)
T. Ohmi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, 536 (1980)
R.K. Gupta. J. Appl. Phys., 53, 1754 (1982)
K.C. Kun. IEE Proc., pt. 1, 131, 87 (1984)
C. Bulucea, A. Rusu. Sol. St. Electron., 30, 1227 (1987)
В.А. Макаров, С.М. Агафонов, Ю.Н. Максименко, М.Б. Пальнихин, О.И. Бономорский. Матер. и элементы электрон. техники и электротехники, N 15, 131 (1987)
A. Timotin, C. Zaharescu. Rev. Roum. Sci. Techn., Ser. electrotechn. et. energ., 33, 3 (1988)
A.G.M. Strollo, P. Spirito. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-38, 1943 (1991)
А.В. Горбатюк, И.В. Грехов. ФТП, 15, 1353 (1981)
М.А. Лаврентьев, Б.В. Шабат. Методы теории функций комплексного переменного (М., Наука, 1987)
А.П. Прудников, Ю.А. Брычков, О.И. Марычев. Интегралы и ряды (М., Наука, 1981) с. 739
M.S. Adler, B.J. Baliga. Sol. St. Electron., 23, 735 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель