Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследования структуры пористого фосфида галлия

Заварицкая Т.Н.¹, Караванский В.А.², Квит А.В.¹, Мельник Н.Н.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 24 сентября 1996 г.

Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые получены свободные пленки пористого GaP и исследована их микроструктура методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и комбинационного рассеяния света (КРС). Результаты ПЭМ показали, что микроструктура пленок пористого GaP имеет сложное пространственное строение, но при этом локальная кристаллографическая ориентация сохраняется и соответствует исходной подложке. В спектре КРС обнаружены эффекты сужения полуширины пика LO-колебаний с одновременным сдвигом в низкочастотную область, которые могут быть удовлетворительно объяснены изменением плазмон-фононного взаимодействия в результате уменьшения концентрации носителей. Обнаружен также сдвиг частоты поверхностных колебаний пористого GaP в зависимости от локальных условий формирования пор. Показано, что принципиально возможно получить пористые слои без заметного покрытия поверхности пор окислами или другими продуктами электрохимической реакции.

Y. Kanemitsu. Physics Reports, 263, 1 (1995)
F. Koch, V. Petrova-Koch. In: Porous Silicon, ed. by Z.C. Zeng, R. Tsu (World Scientific, Singapore, 1994) p. 133
К.Н. Ельцов, В.А. Караванский, В.В. Мартынов. Письма ЖЭТФ, 63, 106 (1996)
А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60, 262 (1994)
A. Anneda, A. Sepri, V.A. Karavanskii, I.M. Tiginyanu, V.M. Ichizli. Appl. Phys. Lett., 67, 3316 (1995)
Травление полупроводников: сб. статей (М., Мир, 1965)
Б.Д. Луфт, В.А. Перевощиков, Л.Н. Возмилова, И.А. Свердлин, К.Г. Марин. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников (М., Радио и связь, 1982)
В.С. Днепровский, В.А. Караванский, В.И. Климов, А.П. Маслов. Письма ЖЭТФ, 57, 394 (1993)
A. Mooradian, G.B. Wright. Sol. St. Commun., 4, 431 (1966)
J.B. Valdez, S. Ushioda. Phys. Rev. Lett., 38, 1089 (1977)
Поверхностные поляритоны, под ред. В.М. Аграновича, Л. Милнса (М., Наука, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель