Вышедшие номера
Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности на спектры фоточувствительности и рекомбинационные параметры слоев GaAs
Карпович И.А.1, Степихова М.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Исследовано влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности слоев GaAs путем нанесения тонкого слоя In0.5Ga0.5P на спектры фотомагнитного эффекта, барьерной фотопроводимости и конденсаторной фотоэдс в GaAs. Обнаружено увеличение скорости поверхностной рекомбинации и аномальной дрейфовой компоненты фотомагнитного эффекта с ростом коэффициента поглощения в области сильного поглощения и выяснено влияние этих эффектов на спектры фоточувствительности. Показана возможность определения рекомбинационных параметров слоев фотоэлектрическими методами.