Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности на спектры фоточувствительности и рекомбинационные параметры слоев GaAs

Карпович И.А.¹, Степихова М.В.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 1 апреля 1997 г.

Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

PDF версия

Исследовано влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности слоев GaAs путем нанесения тонкого слоя In_0.5Ga_0.5P на спектры фотомагнитного эффекта, барьерной фотопроводимости и конденсаторной фотоэдс в GaAs. Обнаружено увеличение скорости поверхностной рекомбинации и аномальной дрейфовой компоненты фотомагнитного эффекта с ростом коэффициента поглощения в области сильного поглощения и выяснено влияние этих эффектов на спектры фоточувствительности. Показана возможность определения рекомбинационных параметров слоев фотоэлектрическими методами.

N.L. Dmitruk, V.L. Lyashenko, A.K. Tereshenko, S.A. Spector. Phys. St. Sol. (a), 20, 53 (1973)
И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, С.М. Планкина, М.В. Степихова, М.В. Шилова. ФТП, 23, 2164 (1989)
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
Ю.И. Равич, Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., Сов. радио, 1967)
И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, М.В. Степихова. ФТП, 27, 1736 (1993)
И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 26, 1886 (1992)
В.Г. Кустов, В.П. Орлов. ФТП, 3, 1728 (1968)
В.К. Субашиев. ФТТ, 5, 556 (1963)
В.А. Зуев, А.В. Саченко, Н.Б. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Сов. радио, 1977)
С.М. Городецкий, Н.С. Жданович, Ю.И. Равич. ФТП, 7, 1270 (1973)
D.E. Aspens. Surf. Sci., 132, 406 (1983)
L. Jastrzebski, J. Lagowski, H.C. Gatos. Appl. Phys. Lett. 27, 537 (1975)
D.B. Wittry, D.F. Kyser. J. Phys. Soc. Japan, 21, 312 (1966)
H.B. de Vore. Phys. Rev., 102, 86 (1956)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений III и V групп (М., Мир, 1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель