Вышедшие номера
Структура центров и механизмы высокотемпературного голубого излучения селенида цинка
Иванова Г.Н.1, Касиян В.А.1, Недеогло Н.Д.1, Недеогло Д.Д.1, Симашкевич А.В.1
1Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 19 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Изучены особенности температурного гашения интенсивности полос краевого излучения кристаллов n-ZnSe, отожженных в различных средах (вакуум, Zn, Se) в широком интервале температур. Обнаружена смена механизмов высокотемпературной экситонной люминесценции в коротковолновой области спектра (443 нм) с ростом температуры кристалла. Показано, что характер температурного гашения длинноволновой полосы краевого излучения (458 нм) свидетельствует о диссоциации ассоциативных центров свечения с ростом температуры образца.