"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура центров и механизмы высокотемпературного голубого излучения селенида цинка
Иванова Г.Н.1, Касиян В.А.1, Недеогло Н.Д.1, Недеогло Д.Д.1, Симашкевич А.В.1
1Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 19 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Изучены особенности температурного гашения интенсивности полос краевого излучения кристаллов n-ZnSe, отожженных в различных средах (вакуум, Zn, Se) в широком интервале температур. Обнаружена смена механизмов высокотемпературной экситонной люминесценции в коротковолновой области спектра (443 нм) с ростом температуры кристалла. Показано, что характер температурного гашения длинноволновой полосы краевого излучения (458 нм) свидетельствует о диссоциации ассоциативных центров свечения с ростом температуры образца.
  1. M. Yamoguchi, A. Yamomoto. Japan. J. Appl. Phys., 16, 77 (1977)
  2. В.С. Вавилов, Ву Зоан Мьен, Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, М.В. Чукичев, А.В. Симашкевич. ФТТ, 26, 1457 (1984)
  3. Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич, К.Д. Сушкевич. ЖПС, 30, 459 (1979)
  4. Б.В. Новиков, Г. Роппишер, В.Г. Талалаев. ФТТ, 21, 817 (1979)
  5. T. Ido, M. Kato, A. Yoshida. J. Phys. D, 11, 15 (1978)
  6. Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, Б.В. Новиков, В.Г. Талалаев. ФТТ, 23, 2693 (1981)
  7. И.Б. Ермолович, А.М. Павелец, Л.Н. Ханат. ЖПС, 31, 446 (1986)
  8. J. Jacobs, H. Arnold. Krist. u. Technik., 10, K71 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.