Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура центров и механизмы высокотемпературного голубого излучения селенида цинка
1Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова 
Поступила в редакцию: 19 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.
Изучены особенности температурного гашения интенсивности полос краевого излучения кристаллов n-ZnSe, отожженных в различных средах (вакуум, Zn, Se) в широком интервале температур. Обнаружена смена механизмов высокотемпературной экситонной люминесценции в коротковолновой области спектра (443 нм) с ростом температуры кристалла. Показано, что характер температурного гашения длинноволновой полосы краевого излучения (458 нм) свидетельствует о диссоциации ассоциативных центров свечения с ростом температуры образца.
- M. Yamoguchi, A. Yamomoto. Japan. J. Appl. Phys., 16, 77 (1977)
- В.С. Вавилов, Ву Зоан Мьен, Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, М.В. Чукичев, А.В. Симашкевич. ФТТ, 26, 1457 (1984)
- Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич, К.Д. Сушкевич. ЖПС, 30, 459 (1979)
- Б.В. Новиков, Г. Роппишер, В.Г. Талалаев. ФТТ, 21, 817 (1979)
- T. Ido, M. Kato, A. Yoshida. J. Phys. D, 11, 15 (1978)
- Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, Б.В. Новиков, В.Г. Талалаев. ФТТ, 23, 2693 (1981)
- И.Б. Ермолович, А.М. Павелец, Л.Н. Ханат. ЖПС, 31, 446 (1986)
- J. Jacobs, H. Arnold. Krist. u. Technik., 10, K71 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
