Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Самокомпенсация в CdTe<Cl> в условиях фазового равновесия кристалл--пар кадмия (теллура)

Матвеев О.А.¹, Терентьев А.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 апреля 1997 г.

Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано явление самокомпенсации заряженных точечных дефектов в CdTe<Cl> до предельно низких концентраций свободных носителей заряда (n_ip_i) во всем интервале изменения давления паров P_Cd и P_Te в равновесии кристалл-газ при отжиге. В условиях контроля P_Te2 при отжиге кристалла обнаружено возрастание концентрации электронов n от 10⁷ до 10¹⁴ см^-3, при увеличении P_Te от P_min до насыщения CdTe<Te>. Этот результат объяснен образованием антиструктурного дефекта, Te_Cd. Появление Te_Cd в кристалле приводит к уменьшению содержания вакансий кадмия в нем, что нарушает механизм точной самокомпенсации CdTe<Cl> и получаются низкоомные кристаллы n-типа электропроводности. Полученные данные о концентрации p(n) от P_Te2 позволили построить полную зависимость n-n_i-p_i-n при изменении P_Cd-P_Te2, отражающую состояние точечных дефектов в CdTe<Te>. Использованная методика отжига кристалла в двухфазном равновесии кристалл-газ позволяла обратимо проводить инверсию n_i-p_i электропроводности кристалла.

F.A. Kroger, J. Vink. Phys. St. Sol., 3, 310 (1956)
G. Mandel. Phys. Rev. A, 134, 1073 (1964)
Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., 1969) c. 654
О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 27, 1894 (1993)
R.O. Bell, F.V. Wald, C. Canaly, F. Nava, G. Ottaviani. IEEE Trans. N.S., NS-21, 331 (1974)
О.А. Матвеев, Е.Н. Аркадьева, Л.Н. Гончаров. ДАН СССР, 221, 325 (1975)
E.N. Arkadyeva, O.A. Matveev. Rev. de Phys. Appl., 12, 239 (1977)
M.A. Berding, M. Van Schilfgaarde, A.T. Paxton, A.Sher. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1103 (1990)
J.A. Van Vechten. J. Electrochem. Soc., 122, 423 (1975)
В.Н. Мартынов, С.П. Кобелева. Кристаллография, 28, 394 (1983)
D. Nobel. Phil Res. Rep., 14, 361 (1959)
S.S. Chern, F.A. Kroger. J. Sol. St. Chem., 14, 44 (1975)
J.T. Schick. C.G. Morgan-Pond. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1108 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель