Вышедшие номера
Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
Галиев Г.Б.1, Имамов Р.М.1, Медведев Б.К.1, Мокеров В.Г.1, Мухамеджанов Э.Х.1, Пашаев Э.М.1, Чеглаков В.Б.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Представлены результаты исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста (240-300oC) и разных соотношениях потоков As и Ga (от 3 до 13). На кривых дифракционного отражения выявлены характерные особенности для указанных образцов до и после отжига в диапазоне температур от 300 до 800oC. Выдвинуты предположения, объясняющие эти особенности. Установлен диапазон изменения соотношения потоков мышьяка и галлия, при котором происходит низкотемпературный рост в условиях, близких к стехиометрическому.
  1. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.M. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
  2. D.C. Look. J. Appl. Phys., 70, 3148 (1991)
  3. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993).
  4. J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood. Appl. Phys. Lett., 64, 3614 (1994)
  5. B. Nabet, A. Paolella, P. Cooke, M.L. Lemuene, P.R. Moerkirk, L.-C. Lion. Appl. Phys. Lett., 64, 3151 (1994)
  6. L.-W. Yin, Y. Hwang, J.H. Lee, R.J. Trew, U.K. Mishra. IEEE Electron. Dev. Lett., 11, 561 (1990)
  7. M.R. Melloch, D.C. Miller, B. Das. Appl. Phys. Lett., 54, 943 (1989)
  8. J.-F.B. Lin, C.P. Kocot, D.E. Mars, R. Jaeger. IEEE Trans. Electron. Dev., 37, 46 (1990)
  9. T.M. Cheng, C.Y. Chang, T.C. Chang, J.H. Huang, M.F. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 3626 (1994)
  10. T.M. Cheng, C.Y. Chang, A. Chin, M.F. Huang, J.H. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
  11. T.M. Cheng, A.Chin, C.Y. Chang, M.F. Huang, K.Y. Hsien, J.H. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 1546 (1994).
  12. А.М. Афанасьев, Р.М. Имамов, В.Г. Мокеров, А.В. Маслов, Э.Х. Мухамеджанов, Д.В. Новиков, Э.М. Пашаев, В.С. Игнатьев, А.А. Зайцев. Тр. ФТИАН, 63, (1993)
  13. M. Missous, S.O.'Hagan. J. Appl, Phys., 75, 3396 (1994)
  14. F.W. Smith, H.Q. Le, V. Diadiuk, M.A. Hollis, A.R. Calawa, S. Gupta, M. Frankel, D.R. Dykaar, G.A. Mourou, T.Y. Hsiang. Appl. Phys. Lett., 54, 890 (1989)
  15. D.C. Look, D.S. Walters, M.O. Manasreh, J.R. Sizelove, C.E. Stutz. Phys. Rev. B, 42, 3578 (1990)
  16. A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeouf, D. Grischkowsky, D.T. Mclnturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.