"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационная стойкость пористого кремния
Ушаков В.В.1, Дравин В.А.1, Мельник Н.Н.1, Караванский В.А.2, Константинова Е.А.3, Тимошенко В.Ю.3
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar+ с энергией 300 кэВ и дозами 5· 1014/ 1· 1016 см-2 на свойства пористого кремния, полученного электрохимическим способом. На основе данных рамановского рассеяния света и фотолюминесценции показано, что радиационная стойкость слоев пористого кремния существенно выше, чем для монокристаллического кремния.
  1. Y. Kanemitsu. Phys. Reports, 203, 3 (1995)
  2. Th. Dittrich, V.Yu. Timoshenko. J. Appl. Phys., 75, 5436 (1994)
  3. A.Roy, K. Jayaram, A.K. Sood. Sol. St. Commun., 89, 229 (1994)
  4. S.M. Prokes, W.E. Carlos, V.M. Bermudes. Appl. Phys. Lett., 61, 1447 (1992)
  5. K.-H. Li, C. Tsa, J.C. Campbell, B.K. Hance, J.M. White. Appl. Phys. Lett., 62, 3501 (1993)
  6. Chi-Huei Lin, Si-Chen Lee, Yang-Fang Chen. J. Appl. Phys., 75, 7728 (1994)
  7. D.A. Redman, D.M. Follstaedt, T.R. Guilinger, M.J. Kelly. Appl. Phys. Lett., 65, 2386 (1994)
  8. L. Pavesti, G. Giebel, F. Ziglio, G. Mariotto, F. Priolo, S.V. Campisano, C. Spinella. Appl. Phys. Lett., 65, 2182 (1994)
  9. F. Namavar, Feng Lu, C.H. Perry, R.A. Siref. J. Appl. Phys., 77, 4813 (1995)
  10. Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983)
  11. И.И. Решина, Е.Г. Гук. ФТП, 27, 728 (1993)
  12. G. Bomchil, A. Halimaoui, R. Herino. Appl. Surf. Sci., 41/42, 604 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.