"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенид цинка
Баранюк В.Е.1, Махний В.П.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 22 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Исследованы электрические свойства гетеропереходов туллурид--селенид цинка, полученных методом реакций твердофазного замещения. Установлено, что прямой ток определяется туннельно-рекомбинационными процессами при низких смещениях и диффузией носителей над барьером --- при высоких. Начальные участки обратных ветвей вольт-амперных характеристик описываются в рамках модели туннельного прохождения носителей с участием глубоких уровней. При больших обратных смещениях наблюдается резкое увеличение тока вследствие процессов ударной ионизации.
  1. О.П. Вербицкий, Л.А. Косяченко, В.П. Махний, В.Д. Рыжиков. Письма ЖТФ, 14, 702 (1988)
  2. L.A. Kosyachenko, V.P. Makhniy. J. Cryst. Growth, 110, 523 (1991)
  3. В.П. Махний. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27, 619 (1991)
  4. В.П. Махний Электрон. техн. Материалы, 4, (258), 30 (1991)
  5. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  6. C. Cah, R. Neyse, W. Schockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  7. Н.Н. Берченко, В.Е. Креве, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982)
  8. И.К. Верещагин. Электролюминесценция кристаллов (М., Наука, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.