"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проблема промежуточных температур или электрических полей при рассеянии горячих электронов на акустических фононах
Качлишвили З.С.1, Кукутария Л.Г.1
1Тбилисский государственный университет им И. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 27 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Получено аппроксимационное выражение для времени релаксации импульса при квазиупругом рассеянии горячих электронов на акустических фононах в зависимости от энергии электронов и температуры решетки. В приближении электронной температуры вычислены подвижность и зависимость электрического поля примесного пробоя от степени компенсации. Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментом на n-Ge.
  1. Э. Конуэлл. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970)
  2. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  3. Б.И. Давыдов. ЖЭТФ, 7, 1069 (1937)
  4. R. Streton. Proc. Roy. Soc. A, 246, 406 (1958)
  5. З.С. Качлишвили. ФТП, 2, 580 (1968)
  6. З.С. Качлишвили, Л.Г. Кукутария. Тр. ТГУ, 313, 93 (1992)
  7. Т.О. Гегечкори, В.Г. Джакели, З.С. Качлишвили. Сообщ. АН ГССР, 163, 565 (1981)
  8. В.Н. Абакумов, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 71, 657 (1976)
  9. Л.А. Вайнштейн, И.И. Собельман, Е.А. Юков. Возбуждение атомов и уширение спектральных линий (М., Наука, 1979)
  10. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.Р. Гринберг. ФТП, 5, 155 (1971)
  11. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 7, 1972 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.