Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов

Федоренко Я.Г.¹, Отавина Л.А.¹, Леденева Е.В.¹, Свердлова А.М.¹

¹Саратовский государственный университет, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Поступила в редакцию: 20 марта 1996 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

PDF версия

Приведены результаты исследований влияния gamma-облучения на электрофизические характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов Y₂O₃, Dy₂O₃, Tb₂O₃, Gd₂O₃, Lu₂O₃. Рассмотрены статические характеристики (вольт-амперные, вольт-фарадные) и динамические (переходные характеристики, диаграммы колебательных режимов) структур до и после облучения дозой D=10⁴/ 10⁶ рад. Обнаружено, что доза облучения D=10⁶ рад не приводит к существенной деградации характеристик структур. Наблюдаемые радиационные изменения исследуемых образцов не противоречат данным, известным для МДП структур с SiO₂ в качестве диэлектрика.

Vinita Vasudevan, J. Vasin. IEEE Trans. ED, 41, 383 (1994)
G.Q. Lo, A.B. Joshi, D.L. Kwong. IEEE Trans. ED, 40, 1565 (1993)
Kusi-Shu, Chang Jiao, Jenu-Gwo. IEEE Trans. ED, 41, 612 (1994)
В.А. Гуртов, А.И. Назаров, И.В. Травков. ФТП, 24, 969 (1990)
В.А. Гуртов, П.А. Райкерус. Микроэлектроника, 16, 68 (1987)
Wei Shin Lu, Kuan-Chin. IEEE Trans. ED, 40, 1598 (1993)
О.В. Вовк, В.П. Лелеченко, В.И. Солошенко, Я.О. Ройзман, В.А. Чкунина. ФТП, 27, 1349 (1993)
П.В. Кучинский. ФТП, 27, 1354 (1995)
Д.Г. Крылов, Е.А. Ладыгина, А.П. Галеев. ФТП, 26, 1347 (1992)
В.А. Рожков, А.И. Петров. Тез. докл. конф. "Электрофизика слоистых структур" (Томск, 1988) вып. 5, с. 21
V.V. Afanas'ev, J.M.M. deNijs, P. Balk. Appl. Phys. Lett., 66, 1783 (1995)
N. Sano, M. Sekiya, M. Hara, A. Kohno, T. Sameshina. Appl. Phys. Lett., 66, 2107 (1995)
А.М. Емельянов, В.В. Голубев. ФТП, 28, 2084 (1994)
M. Gasgnier. Phys. St. Sol. (a), 114, 11 (1989)
J.H. Baxter, M.F. Bocko, D.H. Douglass. Phys. Rev. A, 41, 619 (1990)
Ф. Мун. Хаотические колебания (М., Мир, 1990)
Х.К. Альварес, Л.С. Берман, И.Н. Каримов. ФТП, 28, 1488 (1994)
Э. Шелль. Самоорганизация в полупроводниках (М., Мир, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель