Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами
Брудный В.Н.1, Колин Н.Г.2, Новиков В.А.1, Нойфех А.И.2, Пешев В.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Филиал научно-исследовательского физико-химического института им. Л.Я.Карпова, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Исследованы электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек в GaAs при термообработке, нейтронном облучении и последующем отжиге до Tann=1100 oC. Показано, что при Tann>900 oC в GaAs интенсивно формируются термоакцепторы, что приводит к ухудшению свойств ядерно-легированного материала. Проведены оценки коэффициента использования примеси при ядерном легировании GaAs в зависимости от Tann и интегрального потока нейтронов. Приведены параметры глубоких ловушек в исследованном материале.
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyev, V.E. Stepanov. Physica B, Cond. Matter., 212, 429 (1995)
- R. Coates, E.W.J. Mitchell. Adv. Phys., 24, 594 (1975)
- Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18, 2187 (1984)
- Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский. ФТП, 22, 1025 (1988)
- А.В.. Картавых, С.П. Гришина, М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, И.В. Степанова, Е.С. Юрова. ФТП, 22, 1004 (1988)
- G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
- D.C. Look, D.C. Walters, J.R. Meyer. Sol. St. Commun., 42. 745 (1982)
- D. Pons, A. Mircea, A. Mitonneau, G.M. Martin. Defects and Radiative Effects in Semiconductors, ed. J.H. Albany (Bristol--London, 1978) [Inst. Phys. Conf. Ser. N 46, 352 (1979)]
- G.M. Martin, E. Esteve, P. Langiade, S. Makram-Ebeid. J. Appl. Phys., 56, 2655 (1984)
- В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. ФТП, 27, 260 (1993)
- Н.Г. Колин, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский, Н.И. Ярмолюк. Физика и химия обраб. материалов, 3, 28 (1987)
- R. Rentzsch, K.J. Friedland, A.N. Ionov, M.N. Matveev, I.S. Shlimak, C. Gladun, H. Vinzeiberg. Phys. St. Sol. (a), 137, 691 (1986)
- Л.И. Колесник, Н.Г. Колин, А.М. Лошинский, В.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко. ФТП, 19, 1211 (1985)
- M.H. Young, A.T. Hunter, R. Baron, O.J. Marsh, H.V. Winston. Neutron Transmutation Doping of Semiconductors Material, ed. R.D. Larrabee (N.-Y.--London, Plenum Press, 1984) v. XIV, p. 1
- M.A. Vesaghi. Phys. Rev. B, 25, 5436 (1982)
- P.D. Greene. Sol. St. Commun., 32, 325 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
