"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами
Брудный В.Н.1, Колин Н.Г.2, Новиков В.А.1, Нойфех А.И.2, Пешев В.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Филиал научно-исследовательского физико-химического института им. Л.Я.Карпова, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Исследованы электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек в GaAs при термообработке, нейтронном облучении и последующем отжиге до Tann=1100 oC. Показано, что при Tann>900 oC в GaAs интенсивно формируются термоакцепторы, что приводит к ухудшению свойств ядерно-легированного материала. Проведены оценки коэффициента использования примеси при ядерном легировании GaAs в зависимости от Tann и интегрального потока нейтронов. Приведены параметры глубоких ловушек в исследованном материале.
  1. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyev, V.E. Stepanov. Physica B, Cond. Matter., 212, 429 (1995)
  2. R. Coates, E.W.J. Mitchell. Adv. Phys., 24, 594 (1975)
  3. Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18, 2187 (1984)
  4. Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский. ФТП, 22, 1025 (1988)
  5. А.В.. Картавых, С.П. Гришина, М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, И.В. Степанова, Е.С. Юрова. ФТП, 22, 1004 (1988)
  6. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
  7. D.C. Look, D.C. Walters, J.R. Meyer. Sol. St. Commun., 42. 745 (1982)
  8. D. Pons, A. Mircea, A. Mitonneau, G.M. Martin. Defects and Radiative Effects in Semiconductors, ed. J.H. Albany (Bristol--London, 1978) [Inst. Phys. Conf. Ser. N 46, 352 (1979)]
  9. G.M. Martin, E. Esteve, P. Langiade, S. Makram-Ebeid. J. Appl. Phys., 56, 2655 (1984)
  10. В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. ФТП, 27, 260 (1993)
  11. Н.Г. Колин, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский, Н.И. Ярмолюк. Физика и химия обраб. материалов, 3, 28 (1987)
  12. R. Rentzsch, K.J. Friedland, A.N. Ionov, M.N. Matveev, I.S. Shlimak, C. Gladun, H. Vinzeiberg. Phys. St. Sol. (a), 137, 691 (1986)
  13. Л.И. Колесник, Н.Г. Колин, А.М. Лошинский, В.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко. ФТП, 19, 1211 (1985)
  14. M.H. Young, A.T. Hunter, R. Baron, O.J. Marsh, H.V. Winston. Neutron Transmutation Doping of Semiconductors Material, ed. R.D. Larrabee (N.-Y.--London, Plenum Press, 1984) v. XIV, p. 1
  15. M.A. Vesaghi. Phys. Rev. B, 25, 5436 (1982)
  16. P.D. Greene. Sol. St. Commun., 32, 325 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.