"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоэлектрическая добротность монополярных полупроводников ограниченных размеров
Закордонец В.С.1, Логвинов Г.Н.1
1Тернопольский государственный педагогический институт, Тернополь, Украина
Поступила в редакцию: 14 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Теоретически исследована добротность монополярных полупроводниковых материалов с невырожденным газом носителей заряда с учетом рассогласования температур электронов и фононов, которое возникает вследствие действия на них разных поверхностных механизмов релаксации энрегии на контактах образца с термостатом. Показано, что в случае изотермических граничных условий для электронной подсистемы и адиабатических условий для фононной подсистемы термоэлектрическая добротность образца будет возрастать при уменьшении его линейных размеров, достигая максимального значения в пленках субмикронной толщины.
  1. Л.И. Анатычук. (Справочник Термоэлементы и термоэлектрические устройства.) (Киев. думка, 1979)
  2. М.Я. Грановский, Ю.Г. Гуревич. ФТП 9, 1552 (1975)
  3. А.И. Климовская, О.В. Снитко. Письма ЖЭТФ, 7, 194 (1968)
  4. А.И. Климовская. Автореф. канд. дис. (Киев, ИПАН УССР, 1972)
  5. З.С. Грибников, В.И. Мельников. ЖЭТФ, 51, 1909 (1966)
  6. Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП 23, 1895 (1989)
  7. Л.П. Булат. Автореф. докт. дис. (Л., ЛПИ, 1989)
  8. Г.Н. Логвинов. Изв. вузов. Физика N 9, 68 (1993)
  9. Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов. ФТП, 26, 1945 (1992)
  10. Термоэлектрические генераторы, под ред. А.Р. Регеля (М., Атомиздат, 1976)
  11. Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.