Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии при циклическом облучении и отжиге

Вербицкая Е.М.¹, Еремин В.К.¹, Иванов А.М.¹, Ли З.², Шмидт Б.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Брукхейвенская Национальная Лаборатория, Аптон, Нью-Йорк, США Brookhaven National Laboratory, Upton, N. Y., USA

³Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского центра Россендорф, Дрезден, ФРГ

Поступила в редакцию: 12 апреля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалась перестройка радиационных дефектов в p⁺-n-n⁺-структурах на основе высокоомного n-Si при циклическом облучении и отжиге. Проанализирована кинетика роста концентрации дефектов C_i- O_i в зависимости от технологии изготовления структур. При повторном облучении обнаружена перестройка при комнатной температуре дефектов, образовавшихся в результате отжига первичных радиационных дефектов. Выявлено возникновение "скрытых" источников формирования глубоких центров. Установлено, что наличие более высокой концентрации кислорода, возникшей в образцах в результате длительного процесса оксиления кремния, вызывает более активное комплексообразование углеродсодержащих дефектов по сравнению с образцами с пониженным содержанием кислорода.

Z. Li. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-42, 224 (1995).
E. Fretwurst, H. Feick, M. Glaser, C. Gobling, E.H.M. Heijline, A. Hess, F. Lemeilleur, G. Lindstroem, K.H. Mahlmann, A. Rolf, T. Schulz, C. Soave. Nucl. Instr. Meth., A342, 119 (1994)
Z. Li, W. Chen, L. Dou, V. Eremin, H.W. Kraner, C.J. Li, G. Lindstroem, E. Spiriti. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-42, 219 (1995)
M.T. Asom, J.L. Benson, R. Sauer, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 51, 256 (1987)
L.W. Song, X.D. Zhan, B.W. Benson, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 42, 5765 (1990).
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, З. Ли, Б. Шмидт. ФТП, 27, 2068 (1993).
B. Schmidt, V. Eremin, A. Ivanov, N. Strokan, E. Verbitskaya, Z. Li. J. Appl. Phys., 76, 4072 (1994).
S.D. Brotherton, P. Bradley. J. Appl. Phys., 53, 5720 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель