Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства субмонослойных структур CdSe-(Zn,Mg)(S,Se)

Крестников И.Л.¹, Максимов М.В.¹, Иванов С.В.¹, Леденцов Н.Н.¹, Сорокин С.В.¹, Цацульников А.Ф.¹, Люблинская О.Г.¹, Воловик Б.В.¹, Копьев П.С.¹, Sotomayor Torres С.М.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Nanoelectronics Research Centre, Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, United Kingdom

Поступила в редакцию: 2 апреля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы оптические свойства структур с субмонослойными внедрениями CdSe в матрице Zn(S,Se). Субмонослойное покрытие представляет собой массив наноразмерных (40 Angstrem) островков высотой в один монослой. Сила осциллятора экситона в мультиплицированных субмонослойных структурах CdSe-ZnSSe существенно возрастает по сравнению со случаем однородной квантовой ямы сопоставимых толщины и состава. В субмонослойных структурах лазерная генерация осуществляется в непосредственной близости от энергии основного состояния тяжелого экситона в отличие от обычных квантовых ям ZnCdSe, где она существенно сдвинута в длинноволновую сторону на энергию одного оптического фонона. Эффект обусловлен снятием правил отбора по импульсу при излучательной рекомбинаци экситонов в субмонослойных структурах.

W.D. Johnston, Jr. Phys. Rev. B, 6, 1455 (1972)
H. Haug, S. Koch. Phys. St. Sol. B, 82, 531 (1977)
J. Ding, M. Hagerott, T. Ishihara, H. Jeon, A.V. Nurmikko. Phys. Rev. B, 47, 10 528 (1993)
Y. Kawakami, B. Cavenett, K. Ichino, S. Fujita, S. Fujita. Japan. J. Appl. Phys., 32, L730 (1993).
Е.Ф. Гросс, С.А. Пермогоров, Б.Н. Разбирин. ФТТ, 8, 1483 (1966)
C.B. Guillaume, J.M. Deveber, F. Salvan. Phys. Rev., 177, 567 (1969)
Н.Н. Леденцов, С.В. Иванов, В.М. Максимов, И.В. Седова, И.Г. Табатадзе, П.С. Копьев. ФТП, 29, 65 (1995)
В.И. Марченко. Письма ЖЭТФ, 33, 381 (1981).
O.L. Alehard, D. Vanderbilt, R.D. Meade, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. Lett., 61, 1973 (1988)
S.J. Hwang, W. Shan, J.J. Song, Z.Q. Zhu, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 64, 2267 (1994).
А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 30, 1682 (1996)
V. Voiotis, R. Grousson, P. Lavallard, R. Planel. Phys. Rev. B, 52, 10725 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель