"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния
Беляков Л.В.1, Захарова И.Б.2, Зубкова Т.И.2, Мусихин С.Ф.2, Рыков С.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Исследовано формирование эпитаксиальных пленок теллурида свинца на кремниевой подложке с буферным подслоем пористого кремния. Несмотря на большое рассогласование постоянных решетки и температурного коэффициента расширения кремния и теллурида свинца, сформированные на основе этих пленок методом ионного легирования вертикальные фотодиоды инфракрасного диапазона характеризуются параметрами, приближающимися к параметрам аналогичных фотодиодов на ориентирующей подложке.
  1. В.П. Бондаренко, Н.Н. Воронов, В.В. Дикарева, А.М. Дорофеев, В.И. Левченко, Л.И. Постнова, Г.Н. Троянова. Письма в ЖТФ, 20, В. 10. 51 (1994)
  2. З.М. Дашевский, М.П. Руденко. ФТП 27, 662 (1993)
  3. И.Б. Захарова, Т.И. Зубкова, С.А. Немов, О.В. Рабизо, В.Н. Выдрик. ФТП 28, 1802 (1994)
  4. И.А. Аброян, Б.З. Алиев, С.Д. Имамкулиев, С.А. Казьмин, В.И. Кайданов, Г.Д. Касаманли, А.В. Суворов. ФТП, 17, 611 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.