"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Распределение глубокоуровневых центров по глубине в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия
Берман Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Для определения профиля концентрации глубокоуровневых центров в диэлектрике на границе раздела с полупроводником был использован метод постоянной емкости с длительным измерением временной зависимости напряжения, что позволило увеличить разрешение по глубине. Измерено распределение глубокоуровневых центров в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия. Показано, что в интервале 22/27 Angstrem от границы раздела концентрация глубокоуровневых центров не зависит от координаты.
  1. J. Tardy, T. Thomas, P. Viktorovich, M. Gendry, J.L. Perrsier, C. Santinelli, M.P. Besland, P. Louis, G. Post. Appl. Surf. Sci., 50, 383 (1991)
  2. H. Lakhadri, D. Vuilaume, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 38, 13124 (1988)
  3. J.A. Pals. Sol. St. Electron., 17, 1139 (1974)
  4. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  5. Л.С. Берман. ФТП 31, 78 (1997)
  6. V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
  7. Л.С. Берман, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. Препринт ФТИ N 974 (Л., 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.