Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ временной нестабильности параметров границы раздела диэлектрик--соединение A^IIIB^V методом изотермической релаксации емкости

Берман Л.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 декабря 1995 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены существующие методы диагностики временной нестабильности параметров границы раздела полупроводник-диэлектрик с глубокоуровневыми центрами. Предложен метод определения временной нестабильности по длительной изотермической релаксации емкости структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Определен энергетический спектр эффективной плотности поверхностных состояний в структурах n-InP-SiO₂-Al, изготовленных химическим осаждением в паровой фазе. Изменение емкости в ходе длительной изотермической релаксации является критерием временной нестабильности границы раздела диэлектрик-полупроводник.

J. Tardy, I. Thomas, P. Viktorovich, M. Gendry, J.L. Perrossier, C. Santinelli, M.P. Besland, P. Lous, G. Post. Appl. Surf. Sci., 50, 383 (1991)
М.О. Бакшин, А.В. Емельянов, О.Д. Меньшиков, С.М. Портнов, В.Б. Уфимцев. Электрон. техн., Сер. 3, Микроэлектроника, 1, 32 (1990)
М.О. Бакшин, А.В. Емельянов, С.М. Портнов, Н.С. Самсонов. Электронная промышленность, 6/92, 2 (1992)
P.V. Staa, H. Rombach, R. Kassing. J. Appl. Phys., 54, 4014 (1983)
D. Vuilaume, J.C. Bourgoin, M. Lanoo. Phys. Rev. B, 34, 1171 (1986)
H. Lakhadri, D. Vuilaume, J.C. Bourgoin, M. Lanoo. Phys. Rev. B, 38, 13 124 (1988)
H. Hasegawa, Li He, H. Ohno, T. Sawada, T. Haga, Y. Abe, H. Takahashi. J. Vac. Sci. Techn. B, 5, 1097 (1987)
V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов [Пер. с англ.] (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 7, с. 456
E.H. Niccollian, J.R. Brews. Mos (Metal--Oxide--Semiconductor). Physics and Technolohy (N. Y., 1982) p. 972
Л.С. Берман, И.В. Грехов, И.Н. Каримов, Н.В. Остроумова. ФТП, 27, 917 (1993)
K. Yamasaki, M. Yoshida, T. Sugano. Jpn. J. Appl. Phys., 18, 113 (1979)
Л.С. Берман, А.Д. Ременюк, М.Г. Толстобров. Препринт ФТИ, N 974 (Л., 1985) с. 25

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель