Показано, что в эпитаксиальных p-n-структурах на основе карбида кремния политипа 6H, полученных методом сублимации с ионным легированием и методом жидкофазной эпитаксии, при прямом смещении в диапазонах температур 300-800 K и токов 10^-4-10⁰ А/см² существует термоинжекционный ток J=J₀exp (qU/beta kT), характеризующийся неклассическим значением (beta=6/5, не зависящим от температуры. При этом предэкспоненциальный множитель J₀ зависит от обратной температуры экспоненциально с энергией активации E_a~ E_g/beta. Экспериментальные данные удовлетворяют термоинжекционной модели - расширенной теории Шокли-Нойса-Саа: рекомбинации в слое объемного заряда p-n-перехода через многоэлектронный центр. Под полученным в работе значением beta=6/5 подразумевается пятиэлектронный центр с 4 мелкими (термализованными) и 1 глубоким (нетермализованным) уровнями. Обнаружено, что много электронные рекомбинационные центры в структурах, полученных методом жидкофазной эпитаксии, отличаются от центров в структурах, полученных методом сублимации и ионного легирования, меньшей глубиной залегания мелкого уровня.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.