"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
Ващенко В.А., Кернер Б.С., Осипов В.В., Синкевич В.Ф.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Экспериментально обнаружено и исследовано расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы (ЭДП) высокой плотности в пленках GaAs. Выяснено, что расслоение ЭДП происходит при электрических полях, на несколько порядков меньших порогового поля ударной ионизации GaAs. Установлено, что ЭДП расслаивается лишь в том случае, когда ток инжекции (т. е. концентрация ЭДП в пленке GaAs) и электрическое поле превосходят определенные критические значения. Найдена зависимость критического значения для расслоения ЭДП инжекционного тока от падения напряжения на структуре. Изучена эволюция светло-голубых светящихся точек, образующихся в пленке GaAs при расслоении горячей ЭДП, от тока инжекции и падения напряжения на структуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.