"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (lambda=2.5 мкм, T=300 K)
Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гребенщикова Е.А., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Рогачев А.А., Филаретова Г.М., Яковлев Ю.П.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Сообщается об исследовании спонтанной электролюминесценции в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (lambda=2.5 мкм, T=300 K). Исследовались спектры излучения, внешний квантовый выход и постоянная времени спада излучения изопериодных структур n-GaSb-n-Ga0.75In0.25As 0.22Sb0.78-p-GaAlSbAs с различной толщиной узкозонной области в интервале значений 0.4-5 мкм при температурах 77 и 300 K. Обнаружено, что при изменении толщины узкозонной области от 5 до 0.4 мкм энергия максимума полосы излучения сдвигается в длинноволновую область на 20-30 мэВ (при 77 и 300 K), постоянная времени слада уменьшается почти на порядок от 10-8 до 10-9 с, а внешний квантовый выход излучения увеличивается почти в 5 раз. В результате анализа данных по электролюминесцентным и фотоэлектрическим свойствам делается вывод о том, что излучательная рекомбинация в диодах с толстой узкозонной областью является преимущественно квазимежзонной, а в диодах с тонкой узкозонной областью доминирующую роль играет интерфейсная люминесценция через состояния на n-n-границе. Обсуждается модель излучательных переходов через границу раздела гетероперехода II типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.