"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование поведения примесей при ионной имплантации селеном GaAs
Евгеньев С.В., Лапкина И.А., Озеров Ю.П., Уфимцев В.Б.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Исследовано влияние ионной имплантации селена и послеимплантационного отжига на перераспределение серы, кислорода и углерода в поверхностном слое полуизолирующего арсенида галлия, полученного по методу Чохральского с жидкостной герметизацией. Показано, что упомянутые элементы в результате имплантации селена и отжига при 1123 K в течение 20 мин перераспределяются в тонком приповерхностном слое, причем между ними наблюдается взаимодействие, и на перераспределение рассматриваемых примесей влияют радиационные дефекты, возникающие в процессе имплантации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.