"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эволюция флуктуационного потенциала при обеднении канала полевого GaAs-транзистора
Орлов А.О., Савченко А.К., Шкловский Б.И.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Показано, что поведение термодинамической плотности состояний при уменьшении концентрации электронов в канале GaAs-транзистора с затвором Шоттки обусловлено эволюцией флуктуационного потенциала в условиях нелинейного электронного экранирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.