Исследована спектральная чувствительность эффекта устойчивой фотопроводимости (УФП) в двойных селективно легированных гетероструктурах GaAs/n-(Al, Ga) As. Показано существование двух механизмов, которые вносят вклад в УФП при низких температурах: 1) фотовозбуждение DX-центров в легированном кремнием (Al, Ga)As : Si, 2) генерация электронно-дырочных пар в нелегированном (Al, Ga)As с последующим их разделением полем области объемного заряда вблизи квантовой ямы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.