Построена теория электронных состояний, локализованных в одном измерении на дефектах полупроводниковой сверхрешетки. Такими дефектами могут быть различные нарушения периодичности сверхструктуры, при которых, однако, сохраняется однородность в плоскости слоев: нестандартная квантовая яма или барьер с иной шириной слоя или с иным составом, смещение гетерограницы и т. д. С помощью метода матриц перехода выведено уравнение для энергии локализованного электрона. Для некоторых типов дефектов рассчитаны энергия связи и длина локализации электрона. Отдельно проанализированы дефекты с малой энергией связи, когда применим метод эффективной массы электрона в сверхрешетке.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.