Исследовались спектры оптического поглощения alpha(homega) в примесной области a-Si_1-xC_x : H при изменении значения x от 0 до 0.4, измеренные методом фотоакустической спектроскопии. Созданная установка позволяет определять значения alpha от 1 до 10³ см^-1 при толщинах пленок ~1 мкм. Получена линейная зависимость оптической энергии активации (E_c-E_t) электрона с D⁰-зарядового состояния D-центров от состава сплава. Совместный анализ alpha(homega) в примесной области для всех образцов и полученной методом ЭПР зависимости плотности D⁰-центров (N_s) от состава позволил сделать вывод об уменьшении матричного элемента перехода для этих центров в a-Si_1-xC_x : Н при увеличении x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.