"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In0.53Ga0.47As, легированных рением
Андреев В.М., Зимогорова Н.С., Карлина Л.Б., Никитин Л.П., Устинов В.М., Васильев А.М.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Представлены результаты исследований электрических и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов In0.53Ga0.47As, легированных рением. Показано, что по сравнению с нелегированными слоями эти растворы характеризуются улучшенными электрическими и люминесцентными свойствами. При легировании материала рением наблюдаются возрастание подвижности, уменьшение степени компенсации, изменение структуры спектра фотолюминесценции и увеличение ее интенсивности уже при малых уровнях легирования. Обсуждаются возможные варианты трактовки отмеченных особенностей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.