"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства AlGaAs-GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким "широкозонным окном"
Андреев В.М., Воднев А.А., Ларионов В.Р., Пруцких Т.А., Румянцев В.Д., Расулов К.Я., Хвостиков В.П.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Исследованы зависимости коэффициента собирания фотогенерированных носителей (Q) от толщины (W=20/300 Angstrem) и состава (x=0.15/0.9) слоев твердых растворов в гетероструктурах n-GaAs-p-GaAs-p-AlGaAs, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. Определены оптимальные параметры этих слоев (w=50/60 Angstrem; x=0.7), при которых достигается значительное расширение фоточувствительности в коротковолновую (ультрафиолетовую) область спектра и обеспечиваются минимальные потери на туннелирование через широкозонный слой и поверхностную рекомбинацию носителей в полосе прозрачности твердого раствора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.