Приведены данные по температурной зависимости ЭЛ p-n-гомопереходов в твердых растворах InAsSbP, InGaAs для составов вблизи InAs и ДГС n-InAsSbP/n-InAs/p-InAsSbP в интервале 4.2/300 K. Показано, что внутренний квантовый выход люминесценции в активной области ДГС n-InAs определяется конкуренцией излучательной и оже-рекомбинации с передачей энергии рекомбинирующих частиц электрону в зоне проводимости. Расчет показывает, что при изменении температуры от 77 до 300 K внутренний квантовый выход падает от 96 до 3%. Охлаждение светодиодов на основе InAsSbP и InGaAs до 250/230 K увеличивает интенсивность излучения в 3-5 раз.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.