"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К теории туннельно-резонансного инжектора
Долманов И.Н., Рыжий В.И., Толстихин В.И.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Построена теория ВАХ инжектора, состоящего из n+-эмиттера, буферного слоя и туннельно-резонансной структуры. Показано, что при условиях баллистичности движения электронов в буферном слое и постоянства поля в области туннельно-резонансной структуры расчет ВАХ может быть проведен в параметрической форме и сводится к решению двух трансцендентных уравнений. На основании результатов расчета при типичных для эксперимента параметрах инжектора выявлена важная роль множественности квантовых ям в туннельно-резонансной структуре и наличия виртуального катода в буферном слое в формировании ВАХ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.