"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
Голубев Л.В., Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Сайдашев И.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1988 г.

Сформулированы рекомендации по параметрам слоев, составляющих гетероструктуры с двумерным электронным газом (2МЭГ), обеспечивающие возможность исследования свойств 2МЭГ в широком диапазоне температур. По данным рекомендациям методом стандартной жидкофазной эпитаксии выращены гетероструктуры n-AlxGa1-xAs/p-GaAs и n-InP/p-In0.53Ga0.47As. Экспериментально показано, что благодаря оптимально подобранным параметрам слоев получен нешунтированный в широком температурном интервале (4.2/77 K) 2МЭГ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.