Изложена электролюминесцентная методика измерения квазибаллистического транспорта неосновных носителей в гетероструктурах в системе InP-InGaAsP, имеющих широкозонный n-эмиттер, узкозонную p-базу и коллектор того же типа проводимости. Определено, что при энергетическом зазоре эмиттер-коллектор ~0.25 эВ и базовой области толщиной 200 Angstrem, выполненной из p-In_0.57Ga_0.43As_0.9P_0.1 (p~=2· 10¹⁷ см^-3), коллектор достигают практически все инжектированные электроны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.