"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями
Акулова Ю.А., Яковенко А.А., Груздов В.Г., Гуламов Р.А., Корольков В.И., Мезрин О.А.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Изложена электролюминесцентная методика измерения квазибаллистического транспорта неосновных носителей в гетероструктурах в системе InP-InGaAsP, имеющих широкозонный n-эмиттер, узкозонную p-базу и коллектор того же типа проводимости. Определено, что при энергетическом зазоре эмиттер--коллектор ~0.25 эВ и базовой области толщиной 200 Angstrem, выполненной из p-In0.57Ga0.43As0.9P0.1 (p~=2· 1017 см-3), коллектор достигают практически все инжектированные электроны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.