Рассматриваются транзисторные структуры типа n⁺-N-n-N-n⁺. Предполагается, что N-области, имеющие большую ширину запрещенной зоны, являются варизонными и образуют треугольные энергетические барьеры. Считается, что перенос горячих электронов через узкозонный слой базы n-типа носит квазибаллистический характер, а перенос термализованных электронов вдоль базового слоя является дрейфово-диффузионным. В приближении слабой нелокальности рассчитываются распределения потенциала, концентрации электронов в базе и плотности тока. Показано, что при достаточно больших напряжениях эмиттер-база имеют место оттеснение тока к базовым контактам и замедление зависимости эмиттерного тока от этого напряжения. В области относительно больших напряжений и токов характеристики оказываются зависящими от уровня легирования базы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.