"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр
Остроумов В.И., Соловьев Г.Г., Труфанов А.И.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Введена и исследована дозово-зависимая функция радиационного воздействия zetaQ(T,D) --- вклад выбитого атакующим излучением атома с энергией T в изменение свойства Q материала, ранее поглотившего дозу величиной D. Показано, каким образом такая функция может быть восстановлена по данным экспериментальных исследований. Для доз в интервале 0/500 кГр приведены результаты восстановления zetarho(T,D) --- функции радиационного воздействия на электропроводность кремния. С помощью zetarho(T,D) выполнен расчет глубинного распределения удельного сопротивления в кремнии, облученном электронами мегаэлектронвольтного диапазона при значениях флюенса до 1017 см-2. Установлено удовлетворительное согласие расчетных величин и независимых экспериментальных данных. Отмечено, что в рамках развиваемой модели автоматически учитывается зависимость повреждения кристалла от последовательности облучения его в двух или нескольких радиационных полях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.