"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Примесная проводимость в n-GaAs и n-InP на металлической стороне перехода металл--диэлектрик
Воронина Т.И., Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Старосельцева С.П.
Выставление онлайн: 19 июня 1988 г.

Показана правомерность использования теории квантовых поправок к проводимости при анализе экспериментальных значений электропроводности при T=<4.2 K в кристаллах n-GaAs и n-InР с концентрацией электронов n>~=1.5·1016 см-3, т. е. при приближении к критической области перехода металл--диэлектрик, но при сохранении металлического типа проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.