Показана правомерность использования теории квантовых поправок к проводимости при анализе экспериментальных значений электропроводности при T=<4.2 K в кристаллах n-GaAs и n-InР с концентрацией электронов n>~=1.5·10¹⁶ см^-3, т. е. при приближении к критической области перехода металл-диэлектрик, но при сохранении металлического типа проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.