Вышедшие номера
Исследование туннелирования электронов в МОП структурах в области перехода от трапецеидального барьера к треугольному
Охонин С.А., Погосов А.Г., Французов А.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Исследованы зависимости логарифмической производной туннельного тока от напряжения, приложенного к МОП структуре, и проведен соответствующий численный расчет, результаты которого согласуются с экспериментом. По положению максимума на зависимости логарифмической производной тока от напряжения определена величина изгиба зон, которая согласуется с результатом расчета, учитывающего размерное квантование носителей.