"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование туннелирования электронов в МОП структурах в области перехода от трапецеидального барьера к треугольному
Охонин С.А., Погосов А.Г., Французов А.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Исследованы зависимости логарифмической производной туннельного тока от напряжения, приложенного к МОП структуре, и проведен соответствующий численный расчет, результаты которого согласуются с экспериментом. По положению максимума на зависимости логарифмической производной тока от напряжения определена величина изгиба зон, которая согласуется с результатом расчета, учитывающего размерное квантование носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.