Проведены экспериментальные исследования кинетики релаксации фотопроводимости, стационарной фотопроводимости и фотомагнитного эффекта эпитаксиальных слоев p-InAs_1-x-ySb_xP_y (x=0.05, y=0.11) в интервале температур 77/295 K и определены времена жизни носителей тока. Рассчитаны времена жизни межзонной излучательной и оже-рекомбинаций с учетом градиента ширины запрещенной зоны, а также вклад времен захвата и рекомбинации на глубоких центрах (E_f=0.13 эВ). Показано, что только совместный учет этих механизмов рекомбинаций удовлетворительно объясняет температурный ход времен жизни носителей тока в изученных кристаллах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.