"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О механизмах рекомбинации носителей тока в p-InAs1-x-ySbxPy
Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Проведены экспериментальные исследования кинетики релаксации фотопроводимости, стационарной фотопроводимости и фотомагнитного эффекта эпитаксиальных слоев p-InAs1-x-ySbxPy (x=0.05, y=0.11) в интервале температур 77/295 K и определены времена жизни носителей тока. Рассчитаны времена жизни межзонной излучательной и оже-рекомбинаций с учетом градиента ширины запрещенной зоны, а также вклад времен захвата и рекомбинации на глубоких центрах (Ef=0.13 эВ). Показано, что только совместный учет этих механизмов рекомбинаций удовлетворительно объясняет температурный ход времен жизни носителей тока в изученных кристаллах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.