При наклонном и нормальном падении света исследованы спектры экситонного отражения структуры с одиночной квантовой ямой GaAs-AlGaAs, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Анализ спектра отражения, снятого при углах, близких к скользящему, в p-поляризации позволил надежно определить резонансные частоты, силы осцилляторов и затухание квазидвумерных экситонов, образованных с участием тяжелой и легкой дырок. Показано, что измерение формы дисперсионного контура экситонного отражения при нормальном падении является чувствительным методом для контроля толщины барьерных слоев гетероструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.