"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием
Журавлев К.С., Терехов А.С., Якушева Н.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Изучены спектроскопические параметры обусловленной комплексообразованием полосы ФЛ в сильно легированном эпитаксиальном GaAs<Ge> в диапазоне концентраций p=4.2·1017/3.5·1019 см-3. Установлено, что ширина полосы с учетом точности определения во всем диапазоне концентраций остается неизменной. Положение максимума неизменно в диапазоне легирования p=4.2·1017/2·1019 см-3 и смещается в низкоэнергетичную сторону при больших уровнях легирования. Интенсивность этой полосы квадратично зависит от уровня легирования, что свидетельствует, вероятно, о том, что эта полоса связана с комплексом либо GeAs-GeGa, либо GeAs-VAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.