В рамках модели примесной зоны (ПЗ) компенсированного полупроводника, учитывающей парные взаимодействия доноров и акцепторов, выполнен расчет поглощения света и фотопроводимости (ФП) Si<In> в спектральной области, соответствующей дефициту энергии фотона для фотоионизации изолированной примеси индия. Обнаружено урбаховское поведение расчетных спектральных и температурных зависимостей поглощения и ФП. Экспериментальные данные настоящей работы и исследование Si<In> другими авторами качественно, а для случая значительных компенсаций количественно подтверждают рассмотренный механизм ФП, На примере Si<In> показано, таким образом, что интерпретация урбаховских хвостов на красном краю примесного поглощения, основанная на представлениях электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ), может оказаться ошибочной вследствие неучитываемых эффектов примесной зоны. Для снижения эффектов ПЗ при низкотемпературных измерениях хвостов поглощения требуется уменьшать концентрацию основной легирующей примеси, тогда как понижение степени компенсации материала малорезультативно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.