"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Концентрационная зависимость коэффициента термоэдс эпитаксиальных пленок Pb0.8Sn0.2Te
Бочкарева Л.В., Зимин С.П.
Выставление онлайн: 19 марта 1988 г.

Исследованы температурные (90-380 K) и концентрационные (1·1017-2·1018 см-3) зависимости коэффициента термоэдс alpha эпитаксиальных монокристаллических пленок p-Pb0.8Sn0.2Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках (111) BaF2. Показано, что для слоев с концентрацией дырок меньше 6·1017 см-3 наблюдаются особенности зависимости alpha(T) в области низких температур, значения alpha при 90 K ниже, чем для объемных кристаллов аналогичного состава. Проведен анализ полученных результатов на основе эффекта перераспределения носителей по долинам в результате деформации пленки при низких температурах, который показал, что полученные теоретические зависимости хорошо согласуются с экспериментальными данными. Для T=90 K оценена величина энергетического расщепления между основной и побочными долинами зоны легких дырок (Deltavarepsilonv~14 мэВ), рассчитана деформация растяжения в плоскости пленки (varepsilon~3·10-3).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.